那这种碳化硅晶材加特殊手法制备的晶大概两千多颗就够了。

        相对比原始晶，这种方式制备的碳化硅半导晶积更小，也更加稳定。

        如果说原始的晶需要五千颗才能达到每秒百万次的运算量的话。

        等待了三十分钟，韩元将被侵蚀的差不多的碳化硅晶材用清清晰净，然后再重复几次这个步骤。

        漫长的时间中，氢氟酸会将没有石蜡保护分的碳化硅中的硅分腐蚀掉，方便后续铝离的嵌以及极的镶嵌。

        “这次我制备的晶，从功能上来说，属于信号放大晶。”

        回到化学实验室，韩元从储间中取来硫酸、硝酸等一些午需要用材料。

        这种法，是他理解原始晶以及集成电路制备方法后结合定来的。

        虽然他现在没有光刻机，也暂时没法制造集成晶板。

        耗费了一上午的时间，三十颗加工的碳化硅晶材才理完成。

        “昨天我跟大家讲过了，三晶一共有三层，每一层的质组成结构和作用都不同。”

        一边讲解，韩元一边动手理材料。

        铝离的制备对已经掌握了初级化工应用知识信息的他来说很简单。

        但这并不代表他不能使用集成晶的制造方式来制造碳化硅晶。

        而且因为应用了集成电路的侵蚀镀刻，在功率、响应效率和使用寿命上也更加大。

        “而现在，我要来给主来添加另外两层极了。”

        等待晶材表面的石蜡冷却凝固后，再用小刻刀将需要侵蚀的分上的石蜡清理净，里面的碳化硅。

        虽然数量上还是很庞大，但相对比电动辄百万颗的数量来说，两千颗晶已经很少了。

        需要的时间自然就很漫长了。

        “上午我理好的碳化硅晶材，就是一层，也是碳化硅晶的主。”

        这些晶材依旧使用功能的不同，形状不同，被侵蚀的位也不同，而且需要侵蚀的程度也不同。

        “所以我需要照昨天讲解的方式，给他添上N-漂移层和P阱，来起到聚集电和放大电信号的作用。”

硅晶材上刷上薄薄的一层。

        而且制备来的铝离量还相当，足够他用来制造晶中的N-漂移层了。

        理好这些碳化硅晶材后，韩元先了午餐，吃完后就立刻回到了实验室，并没有照以前的方式休息一会。

        他现在想尽快完成这个二级任务。

        氢氟酸虽然能侵蚀碳化硅，但需要多次重复侵蚀才能达到他的要求。

        用硫酸盐或者氯盐在氧化剂的保护就可以制备来。

        最后再刷上一层之前就制备好的氢氟酸，等待半个小时左右。

        “所以我现在需要先将铝离制备来。”

        “至于材料，N-漂移层和昨天讲解一样，用的是铝，不过并非是简单的用铝包裹一层。”

        “而是需要将铝制备成铝离，然后注到上午侵蚀来的沟槽中，从而形成稳定的N-漂移层。”